• 裏面のみの熱処理により、表面に熱ダメージを与えません。
• 2波長レーザアニールにより、アニール深さを1~10μmの範囲でコントロールが可能。
• 連続発振レーザと、回転テーブルの組合せにより、高スループットを実現。

2波長レーザアニール

• Siに対する光の侵入深さは、波長に依存します。
• 侵入長が約1μmと約10μmのレーザを同時に照射することにより厚さ100μm以下のSiウェーハに対しても、
  レーザ非照射面の温度を100℃以下に保ったまま、レーザ照射面の深さ数μmの領域をドーパントの活性化に必要な
  温度まで昇温することが可能です。

1.裏面のみの熱処理

グリーンレーザーとLDの、2種類のレーザが搭載されており、それらを同時照射することにより、以下の特性が得られます。

• 約10μm以下深さで、種々の不純物プロファイルの活性化に対応。
• 100μm厚以下のウェハ処理が可能。
• 裏面アニール時の表面温度を100℃以下に保持。

2.高スループットプロセス

• CW グリーンレーザー(波長532nm)とCW半導体レーザ、線速度一定制御の回転ステージにより、
  表面を低温に保持したまま、高スループットで裏面数μmの活性化アニールを実現します。

• 世界初のSiC裏面電極オーミック化専用装置。
• 豊富なパラメータで開発・試作にも対応。
• 高い安定性・再現性・スループット、低ランニングコストで量産を支援。

• SiC裏面電極に用いられる各種金属層のオーミック化。

• 薄ウェーハ対応(100μm未満～50μm)
• 自動搬送
• 非接触ウェーハ保持機構(ロボットハンド)
• 清浄度スペックアップ
• CIM対応