イオンビームミリング装置は、イオン源内に生成したプラズマから引き出したイオンを加速し加工材料に衝突させ物理的に微細加工をするイオンビームエッチング装置です。

 独自のバケット型イオン源により、均一で平行なビームで加工ができます。小型から大型まで取りそろえ、オーダーメイドにも対応いたします。

 MEMS、センサー、MRAM、パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイスなど、さまざまなアプリケーションに適用されており、IoTの中核となるデバイス製造を支えます。

技術説明

(1)イオンの速度と衝突現象

 イオンを加速して物質に衝突させると、その速度の大きさによって下図のように堆積、加工、注入などの現象が発生します。

 これらの現象を利用して電子デバイスを製作することができます。

(2)イオン源のプラズマ生成

 フィラメントに電流を流して熱電子を発生させ、イオン源内部にArガスを流してアーク放電を発生させると、Ar分子は熱電子と

激しく衝突して電離します。

 この様にAr+イオン、電子(-)、電離していないAr分子が混在する全体として電気的に中性なArプラズマを生成します。

 

(3)イオン源からのビーム引出し

 加速電極に電圧をかけることにより、電気的に中性なプラズマにプラス電位を持たせると、電極に開いている穴から漏れ出たイオンが

電位0Vの基板ホルダ方向に向かい飛んでいきます。この飛んできたイオンが加工対象である基板にぶつかることで加工を行ないます。

 イオンを物理的にぶつけて加工を行なうので、ほとんどの物質を加工できます。そのため、多層膜や化学反応で削りにくい物質などの

加工に適しています。また、通常不活性ガスであるArガスのみを使用するので排ガス処理装置が不要です。

製品ラインアップ

小型イオンビームミリング装置

 

 

 

 

 

 

 

 

 

研究開発および少量生産に適した小型装置

主要機器構成例

     手動取付タイプ

特長

  • エッチング高レートと低レート制御が可能
  • 均一平行ビームによる高均一加工
  • 難エッチング材の微細加工可能
  • 立体形状のワークも加工可能
  • 自転+傾斜する基板ホルダ
  • 豊富なチャック方式を選択可能
  • コンパクトなフットプリント
  • ロードロック(オプション)
  • 終点検知システム(ロードロック付タイプにオプション適用)

用途

  • エレクトロニクスデバイス、MEMS製造用、微細加工研究、開発、試作、小量産用途など
  • 小型立体個体物へのイオン照射など

仕様

型式 IM-150 IM-200
イオン源サイズ Φ150 Φ200
イオン源電圧 300~1000V
電流密度 ~1mA/cm~{2}
対象基板 Φ4インチ×1 Φ5インチ×1
ホルダ動作 自転・傾斜
ホルダ冷却 水冷/ガス冷
基板交換 手動

その他、小型ラインアップ

   ロードロック付タイプ

    ロードロック室とトランスファーロッドを搭載したタイプ

 

   CIMシリーズ

      コンパクトをさらに追求したタイプ

 

枚葉式イオンビームミリング装置

 

 

 

 

 

 

 

 

 

カセットtoカセットで処理する量産装置

 

主要機器構成例

   自動搬送・ロードロック室付タイプ

特長

  • エッチング高レートと低レート制御が可能
  • 均一平行ビームによる高均一加工
  • 難エッチング材の微細加工可能
  • 自転+傾斜する基板ホルダ
  • 豊富なチャック方式を選択可能(オプション:静電チャック)
  • フィラメントレスµ波ニュートラライザ(オプション)
  • 終点検知器システム(オプション)
  • 反応性ガス対応(オプション)
  • フィラメントレスRFバケット型イオン源(オプション)
フィラメントレスµ波ニュートラライザ<br/>(リングプラズマ)
拡大
フィラメントレスµ波ニュートラライザ
(リングプラズマ)

用途

  • MEMSの電極微細加工、高周波フィルターや化合物半導体の配線・電極加工、磁気ヘッド・磁気センサーなどの微細パターン/

  形状加工など

仕様

型式 IML-5-1 IML-6-1 IML-8-1 IML-8-2
イオン源サイズ Φ200 Φ250 Φ350 Φ300
イオン源電圧 300~1000V
電流密度 ~1mA/cm~{2}
対象基板 Φ5インチ×1 Φ6インチ×1 Φ8インチ×1

Φ8インチ×2

(静電チャック  

搭載実績あり)

ホルダ動作 自転・傾斜
ホルダ冷却 水冷/ガス冷

その他、枚葉式ラインアップ

   処理室2室タイプ

バッチ式イオンビームミリング装置

 

 

 

 

 

 

 

 

 

大型基板および多数枚処理に適した装置

主要機器構成例

   手動取付・6枚同時処理タイプ

特長

  • 最大Φ580のバケット型イオン源
  • 均一平行ビームによる高均一加工
  • 難エッチング材の微細加工可能
  • 高均一性と高スループットの両立が可能
  • エッチング高レートと低レートの制御が可能
  • 自公転+傾斜する基板ホルダ
  • 豊富なチャック方式を選択可能
  • 角形状基板など 異形基板対応、異形基板混合対応、基板サイズ兼用可能
  • フィラメントレスμ波ニュートラライザ(オプション)
  • 終点検知器システム(オプション)
  • フィラメントレスRFバケット型イオン源(オプション)
Φ580バケット型イオン源<br/>
拡大
Φ580バケット型イオン源

用途

  • 磁気ヘッド用微細加工、プリンターヘッドなどの微細加工など

仕様

型式 IM-580 IML-580-LL
イオン源サイズ Φ580 Φ580
イオン源電圧 300~1000V
電流密度 ~1mA/cm~{2}
対象基板 Φ4インチ×10                              Φ5インチ×9                    Φ6インチ×8 Φ6インチ×6
ホルダ動作 自公転・傾斜
ホルダ冷却 水冷/ガス冷
基板交換 手動 カセットtoカセット

その他、バッチ式ラインアップ

   自動搬送・ロードロック付・6枚同時処理タイプ

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処理室内イメージ図
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処理室内イメージ図

装置評価

当社が保有するイオンビームミリング装置の各種デモ機で、お客さまの用途に合わせたサンプル処理を初回無償で提供します。

詳しくは下記までお問い合わせください。

受託処理

当社が保有するイオンビームミリング装置の各種デモ機で、受託処理を提供します。

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保守サービス

装置ご購入後、お客様に安心してお使い頂くために保守サービスを提供します。

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イオンビーム事業に関するお問い合わせ

 

第2技術部

お電話でのお問い合わせ 0294-85-6038