イオンビームスパッタ装置は、イオン源内に生成したプラズマから引き出したイオンを加速し成膜材料であるターゲットに衝突させ、粒子を弾き飛ばして対向面の基板に成膜する装置です。
独自のバケット型イオン源により、高均一性、良好な再現性を特長とする成膜が可能です。小型から大型まで取りそろえ、オーダーメイドにも対応いたします。
光学膜、各種磁性膜、超電導膜、スーパーミラーなど、さまざまなアプリケーションに適用されており、IoTの中核となるデバイス製造を支えます。
1. バケット型イオン源の採用
- 安定したビーム形状による高均一成膜が可能
- スパッタ量がビーム電流に比例し良好な再現性を実現
- ビーム電流の高精度制御による成膜量の高精度制御が可能
- 大口径イオン源による大型基板への対応が可能
2. イオンビーム方式の採用
- 低圧力で安定した成膜が可能
- プラズマフリーの成膜による成膜条件、制御量の明確化が可能
- マグネトロン方式と比べ起動時の過度変動が少ないためパーティクル発生の抑制が可能
3. 光学膜用途として
- 連続多層膜を高精度制御にて成膜可能(高い反射率が可能)
- マスク動作制御による膜厚の位置制御が可能(任意の膜厚制御が可能/多様な形状のミラーに対応可能)
- 表面粗さの小さい成膜が可能
- 高真空中でのプラズマフリースパッタが可能
- 光学膜、スーパーミラー、超電導膜、超薄膜、超多層膜、磁気ヘッド用磁性膜など
型式 | IBS-100 | IBS-200 | IBS-350 | ||||
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イオン源サイズ | Φ100 | Φ200 | Φ350 | ||||
イオン源電圧 | 1500V | 1500V | 5000V | ||||
電流密度 | 350mA/cm~{2} | 800mA/cm~{2} | 4000mA/cm~{2} | ||||
基板ホルダ | 2インチ×4 | ご指定によります | |||||
ターゲット | Φ150mm×2 | ご指定によります | |||||
イオンアシスト | オプション |
イオンビームミキシング装置は、固体基板表面に蒸着膜を生成しながらイオン注入を行ない、母材に打ち込まれたイオン種原子、蒸着金属及び母材とで境界面のない混合層を生成し、密着性の良い膜を生成する装置です。
低温プロセスで強固な表面改質層を生成できる点などから、メカトロニクス部品、精密金型、半導体用工具、エンジン用部品など、さまざまな分野への応用が期待されています。
項目 | 仕様 |
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イオン源 |
・ 電圧:10~40kV(ご要求に応じて高電圧可) ・ 電流:1A 短時間(ご要求に応じて電流増減可) 0.4A 連続 (20kV N_{2}ガスの場合) ・ ビームサイズ:Φ100mm~ |
蒸着部 |
・ 電子ビーム加熱方式 ・ 容量:5kW(ご要求に応じて大容量可) ・ るつぼ:4 |
電源部 |
・ ゲートタンオフサイリスタを用いた直流スイッチに よる保護装置付 ・ 自動再立上げ装置付 |
排気部 | ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ |
■ 寸法図
- 母材と表面処理層の間に混合層が生成され、従来の成膜法に見られる層間の境界がなく、密着性が格段に良い膜の生成が可能。
- 低温処理のため、従来処理のような母材の熱変形がなく、最終形状での処理、また繰り返し処理が可能。
- 表面処理と膜生成が非熱平衡プロセスであり、蒸着とイオン注入の混合比が選択可能で、生成膜の組成制御が可能であり、再現性にも
優れている。
- 注入イオンは数億度相当のエネルギーをもっているため、ダイヤモンドライクの新物質の生成にも応用可能。
- メカトロニクス部品、OA用部品、精密金型、半導体用金型、半導体用工具、精密治工具、各種ロール、タービン、エンジン用部品、
半導体絶縁冷却板など
装置ご購入後、お客様に安心してお使い頂くために保守サービスを提供します。
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第2技術部
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