研究開発、試作ライン向けのドライエッチング装置です。
FPD、光学部品、ナノインプリント、プリント回路基板、インターポーザー、フォトマスク、MEMS、FOPLP等で使用される各種材料の微細加工が可能です。


基板サイズは300mm×300mmを標準としておりますが、ご希望サイズに合わせた装置設計を致します。

基本仕様

基板サイズ 300mm × 300mm (標準仕様)
放電方式

ICPモード

RIEモード

ICP+Biasモード選択

用途

シリコン系薄膜および各種金属薄膜

化合物半導体膜の微細加工 

レジスト および 有機膜剥離

ディスカム、デスミア、表面改質、プラズマクリーニング等

その他機能

基板冷却システム(ガラス基板用静電チャック)

エッチング終点検出機能

マルチステップ、オートマチックオペレーション

コンパクト設計

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